Обзор продукта
Гексафторэтан (C₂F₆) — это полностью фторированное насыщенное фторуглеродное соединение, представляющее собой бесцветный, не имеющий запаха, негорючий и не-токсичный газ при стандартных условиях. Гексафторэтан, важный специальный газ для электроники, ценится за свою исключительную химическую стабильность и превосходную селективность травления, что делает его незаменимым в производстве полупроводников и микроэлектроники. Наш гексафторэтан высокой-чистоты, производимый с помощью строгих процессов очистки, отвечает строгим требованиям современных электронных приложений, где сверх-высокая чистота и минимальное количество примесей имеют первостепенное значение.
Основная информация
| Номер КАС. | 76-16-4 |
| Номер ООН. | UN2193 (Гексафторэтан, сжатый) |
| Молекулярная формула | C₂F₆ |
| Классификация опасностей | 2.2 (Не-воспламеняющийся, не-токсичный газ) |
Ключевые атрибуты и параметры
| Чистота | Больше или равно 99,999% (стандарт оценки 5N), доступны более высокие оценки. |
| Критические примеси (типичные характеристики) |
Кислород (O₂) Азот (N₂): менее или равно 2 ppm. Влажность (H₂O): Меньше или равна 1 ppm. Общее количество ионов металлов: менее или равно 10 частей на миллиард. |
| Точка кипения | -78,2 градуса |
| Критическая температура | 19,7 градусов |
| Давление пара (при 21,1 градусах) | 3,33 МПа абс. |
| Плотность (газ, 25 градусов) | ~7,85 кг/м³ (приблизительно. 5x плотнее воздуха) |
Особенности и преимущества
Высокая химическая и плазменная стабильность
Прочные связи C-F обеспечивают стабильное, контролируемое разложение в плазменной среде, генерируя активные радикалы фтора для точного травления.
Превосходная селективность травления
Предлагает легко настраиваемые соотношения скорости травления между кремнием, диоксидом кремния, нитридом кремния и фоторезистом, что обеспечивает сложную передачу рисунка для продвинутых узлов.
Отличные диэлектрические и изоляционные свойства
Его высокая диэлектрическая прочность и термическая стабильность делают его пригодным для специализированных электроизоляционных применений.
Совместимость процессов и широкое окно
Проверенная совместимость со стандартными инструментами для изготовления полупроводников (например, ICP, CCP-травителями), предоставляя производителям широкий и стабильный технологический диапазон.
Функциональные характеристики
В плазменных-процессах гексафторэтан разлагается с образованием радикалов фтора (F*) и различных ионов CFx. Это позволяет ему функционировать в первую очередь как:
1. Прецизионный травитель: обеспечивает анизотропное травление кремния, поликремния и различных диэлектрических пленок с высокой селективностью и контролем профиля.
2. Средство для очистки камеры: эффективно удаляет остатки кремния- после химического осаждения из паровой фазы (CVD) и внутренней части камеры травления, не повреждая ее компоненты.
3. Газ-носитель/разбавитель: может использоваться для модуляции и стабилизации химического состава плазмы в газовых смесях.
Основные области применения
Производство полупроводников
Ключевой травитель для формирования рисунка затвора из поликремния, изоляции неглубоких канавок (STI) и травления диэлектриков (SiO₂, low-k) через/траншеи. Незаменим для-очистки камеры на месте.
Производство плоских дисплеев (FPD)
Используется для построения матриц тонкопленочных транзисторов (TFT) и микро-изготовления OLED-дисплеев.
Фотовольтаика
Текстурирование и нанесение рисунка при производстве солнечных элементов на основе кремния-и тонких-пленок.
Другие приложения
Используется в качестве хладагента (R116), изолирующего газа в электрооборудовании и буферного газа в лазерах.
Случай сотрудничества с клиентами
Ведущий производитель полупроводников в сотрудничестве с нами оптимизировал 28-нм процесс травления контактных отверстий логических чипов, который столкнулся с проблемами, связанными с шероховатостью боковых стенок и однородностью травления. Мы разработали специальную газовую смесь на основе гексафторэтана- (с O₂ и Ar), адаптированную для конкретного инструмента травления (Applied Materials Centura). Мы поставили гексафторэтан сверх-высокой-чистоты 99,9995 % с примесями металлов.<5 ppb and implemented a real-time gas monitoring system. This collaboration resulted in a 40% reduction in sidewall roughness (from 5.2nm to 3.1nm), improved within-wafer uniformity from ±8% to ±4%, and enhanced critical dimension control by 25%. The successful gas formulation was adopted as their standard process, contributing to a 3.2% increase in production yield and establishing a joint development framework for sub-10nm node etch solutions. This case highlights how our high-purity hexafluoroethane and application expertise directly enable advanced manufacturing.
Часто задаваемые вопросы
горячая этикетка : гексафторэтан, Китай производители, поставщики гексафторэтана, завод, 7N Аммиак, Калибровочный газ Co, Гексафторэтан, Чистый гелий, Диоксид серы CAS 7446 09 5, Винилхлорид CAS 75 01 4
